原子層沉積(ALD)系統用于氧化物和金屬薄膜沉積

原子層沉積（ALD）是一種沉積原子級薄膜的技術，它是以一種連續脈沖的方式在樣品表面和反應前驅體材料之間發生化學反應。與傳統的等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）技術相比，沉積速率相對較慢，但是它可在高深寬比的溝槽和通孔結構上沉積均勻薄膜。另外，在原子層沉積過程中，樣品表面上沒有物理和電學損傷，而在PECVD過程中由于離子轟擊這種損傷卻不可避免。此外，通過使用不同的反應材料可沉積各種薄膜（氧化物，氟化物，氮化物，金屬等）。

由于原子層沉積技術的表面反應具有自限制性，不斷重復這種自限性可以制備出所需精確厚度的材料，并且具有很好的臺階覆蓋率及大面積厚度均勻性，連續生長使得納米薄膜材料無針孔，密度高。ALD由于表面飽和化學性吸附及自我限制的反應機制，使得ALD擁有下列優點：

1、透過循環數的控制，可以精確地控制薄膜的厚度。

2、由于表面飽和的機制，因此不需要控制前驅物流量的均一性。

3、可生成高圴勻性薄膜。

4、杰出的高深寬比的階梯覆蓋能力。